Samsung Gandeng TSMC 3nm untuk Produksi Base Die Custom NVHBM Nvidia

Mandat Standarisasi NVHBM dari Nvidia

Laporan industri semikonduktor pada 19 Oktober 2026 mengonfirmasi pergeseran struktural dalam rantai pasok perangkat keras kecerdasan buatan. Nvidia menetapkan spesifikasi terpadu untuk memori pita lebar generasi berikutnya bernama NVHBM yang dibangun di atas arsitektur HBM4E.

Dalam spesifikasi tersebut, Nvidia memindahkan pengontrol memori khusus (memory controller) langsung ke atas lempengan dasar (base die) tumpukan memori, bukan lagi menempatkannya di dalam cetakan prosesor grafis utama. Pemindahan ini bertujuan mengosongkan area silikon pada GPU sehingga produsen dapat menambah inti komputasi aritmatika untuk pemrosesan model AI berskala besar.

Untuk memastikan keseragaman performa dan tingkat kelulusan produksi (yield rate), Nvidia mewajibkan tiga pemasok memori utamanya, yaitu Samsung Electronics, SK hynix, dan Micron Technology, untuk mencetak base die tersebut menggunakan proses litografi 3-nanometer (3nm) milik TSMC.

Perubahan Model Turnkey Tradisional Samsung

Keputusan menerima persyaratan Nvidia menjadi langkah penting bagi Samsung Electronics. Selama bertahun-tahun, Samsung mengandalkan model bisnis terintegrasi penuh (turnkey), memproduksi sel memori DRAM (core die) sekaligus mencetak base die di fasilitas pengecoran (foundry) miliknya sendiri.

Dengan menyetujui kontrak pengecoran ke TSMC, Samsung untuk pertama kalinya memisahkan lini produksi memori dan logika tingkat lanjut demi mengamankan pesanan chip akselerator Nvidia. Langkah kompromi ini diambil setelah evaluasi internal menunjukkan bahwa menggunakan node fabrikasi yang berbeda dari standar Nvidia berisiko memicu masalah kompatibilitas antarmuka dan memperpanjang proses validasi produk.

Meskipun demikian, tumpukan inti memori DRAM pada modul NVHBM buatan Samsung tetap menggunakan teknologi proses generasi keenam (1c DRAM) dari pabrik Samsung sendiri.

Strategi Dua Jalur untuk Mengimbangi Ketergantungan Fabrikasi

Samsung menerapkan strategi dua jalur (dual-track) untuk mengelola risiko operasional. Untuk lini produk custom NVHBM pesanan khusus Nvidia, Samsung mematuhi mandat pemesanan base die ke pabrik TSMC.

Di sisi lain, Samsung tetap mempertahankan lini foundry internal untuk memproduksi tumpukan HBM standar yang ditujukan bagi pelanggan komputasi awan lain. Fasilitas internal ini juga disiapkan sebagai kapasitas cadangan darurat jika permintaan global terhadap chip akselerator Nvidia melampaui kuota kapasitas produksi wafer 3nm yang dialokasikan TSMC.

Implikasi Rantai Pasok Semikonduktor Global

Langkah Nvidia mewajibkan satu standar fabrikasi base die memperkuat posisi tawar TSMC dalam ekosistem semikonduktor global. Integrasi komponen logika dan memori pada level kemasan tingkat lanjut (advanced packaging) kini menuntut keterikatan rantai pasok lintas kompetitor.

Kolaborasi antara Samsung dan TSMC ini menunjukkan bahwa tuntutan densitas komputasi AI telah memaksa produsen perangkat keras mengesampingkan rivalitas pabrikasi konvensional demi menjaga pasokan akselerator global.